图片仅供参考,产品以实物为准
| Status | Obsolete |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 3.3 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.076 Ohms |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 7 ns |
| 正向跨导gFS （最大值/最小值） | 5.3 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 零件号别名 | SI9945DY_NL |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 100@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3.3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
SI9945DY相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
